Electronic, Transport, and Optical Properties of Broken-Gap Heterostructures
Popular Abstract in Swedish I avhandlingen undersöks fysikaliska egenskaper hos heterostrukturer med brutna energigap med hjälp av en flerbands k.p modell och självkonsistenta beräkningar. Heterostrukturer med brutna energigap består av halvledarna InAs, GaSb och AlSb och karaktäriseras av en speciell bandstruktur där ledningsbandet i InAs överlappar med valensbandet i GaSb. På grund av bandöverThis thesis examines the physical properties of broken-gap heterostructures using a multiband k.p model and self-consistent calculations. Broken-gap heterostructures, made from InAs, GaSb, and AlSb, are characterized by a special band alignment with an overlap between the InAs conduction band and the GaSb valence band. The band overlap results in anticrossing regions in the energy dispersions and