Epitaxial growth and processing of high-aspect ratio InGaAs fins for advanced MOSFETs
Moderna elektronikprylar så som mobiltelefoner, datorer och surfplattor innehåller flera integrerade kretsar vars uppgifter varierar. En dator har till exempel en viss integrerad krets, kallad processor, vars uppgift är att uföra beräkningar och att driva operativsystemet. Samma dator innehåller även ytterliggare integrerade kretsar vars uppgifter kan vara att behandla grafik, ljud och trådlös komIn this thesis, InGaAs fins with vertical sidewalls consisting of {110} facets were epitaxially grown on InP(111)B substrates using metalorganic vapor phase epitaxy. A lithography patterned hydrogen silsesquixane growth mask was used to promote the formation of vertical {110} facets during the growth. The relative growth rate of the {111B} and {110} facets was controlled by the input V/III ratio i