High resolution imaging of GaAs nanowires
Högeffektiva solceller och lysdioder samt nya typer av transistorer är bara några av möjligheterna som öppnas med nanoteknik. En av de mest lovande nano- strukturerna som studeras för framtida applikationer är nanotrådar av halvledarmaterial som galliumarsenid (GaAs). Dessa stavformade kristaller har en diameter mindre än en tusendel av ett hårstrås och förväntas bli de nya byggnadsblocken inom elSemiconductor nanowires (NWs) are expected to be the new building blocks in electronics and photonics, but improved understanding of the nanowire surfaces and electronic properties are required to realize it. In this bachelor thesis, wurtzite (Wz)-zincblende (Zb) axial heterostructure GaAs nanowires are studied using scanning tunneling microscopy and spectroscopy. The hexagonal cross section nan